경기도-SEMATECH 아시아 연구센터 설치 협력
경기도(도지사 김문수)는 19일 오후 세계적 반도체 연구컨소시엄 기관인 미국의 SEMATECH 라지 자미 부사장과 만나 보다 안정적이고 폭넓은 기술개발을 위해 상호 인력교류 등을 포함한 공동연구 협력체계를 구축하기로 했다.
SEMATECH은 지난 해 3월에 도내 나노관련 기업의 연구개발 지원을 위해 광교테크노밸리에 설립한 나노소자특화팹센터와 상호협력양해각서(MOU)를 체결하면서 경기도와 인연을 맺게 되었으며 같은 해 6월에는 공동기술개발협약(JDA)을 체결하여 추진사업을 구체화함으로써 화합물반도체 소자(III-V MOSFET) 공동기술개발을 진행 중이다.
화합물 반도체는 현재 메모리와 논리소자에 사용되고 있는 실리콘 CMOS 소자에 대한 대체기술로 고려되고 있으며, 세계적인 선두 기업에서 집중적으로 연구가 진행 중인 핵심 유망기술로 각광받고 있다. 이번 공동연구 협력체계 구축을 통해 기존 기술의 한계를 극복할 수 있는 차세대 반도체 소자의 핵심 기술을 확보할 뿐만 아니라 우리나라가 상대적으로 떨어져 있는 화합물 반도체 분야의 기술력 제고에도 기여할 것으로 기대된다.
경기도 과학기술과장(오후석)은 “SEMATECH의 첨단소자?소재 관련기술과 KANC의 화합물 나노공정기술을 접목하여 화합물반도체 소자분야의 기술개발 시너지가 기대되며, 핵심기술을 조기에 확보하는 계기로 삼을 것”이라고 밝혔다.
SEMATECH은 앞으로 화합물 반도체 태양전지와 LED 등 자원과 에너지 이용효율을 높이는 새로운 융합녹색기술개발을 위해 다양한 분야로 나노소자특화팹센터와 공동연구를 확대해 나갈 계획이다.
경기도는 국제공동연구의 결과를 도내 관련기업들이 사업화할 경우 고용유발효과 등 관련산업 및 지역경제 활성화에 큰 도움이 될 것으로 기대하고 있다.
한편, 김문수 지사는 이 자리에서 SEMATECH 아시아센터를 제안하였으며, SEMATECH이 이를 수용할 경우 광교테크노밸리가 세계적인 화합물 반도체 기술의 중심부로 자리잡는데 크게 기여할 것으로 전망된다.
문의 과학기술과 연구지원담당 249-4631
※ 붙임 1. SEMATECH 현황
2. 나노소자특화팹센터 현황
3. 용어설명
〔붙임자료 1] SEMATECH 현황
△ SEMATECH(SEmiconductor MAnufacturing TECHnology)
△ 설립연도 : 1987년
△ 기관형태 : 미국 민·관공동으로 만든 반도체 제조기술 연구조합(컨소시엄)
△ 소 재 지 : 미국 텍사스주 오스틴시
△ 설립목적 : 차세대 반도체 제조기술 확립
△ 주요사업 : 반도체개발 |
- 미국 연방정부와 미국 반도체산업협회 공동 출자로 반도체 공동연구 컨소시엄으로 출발 (1987)
- Intel, IBM, AMD, 삼성 등이 참여한 전 세계 반도체 회원사들이 세계 반도체 칩 시장의 50% 이상을 점유
- 실리콘 공정의 차세대 리소그라피, 게이트, 3차원 연결배선 등 기술 개발
- 실리콘 300 mm 팹 운영 [뉴욕 주립대(Albany)]
- 실리콘 CMOS 기술의 집적화 진전에 따른 기술적 한계에 대한 대안 기술로 화합물 반도체 연구 진행 (III-V MOSFET)
- 에너지, 광 분야 등의 차세대 응용 기술로 화합물 반도체 고효율 태양전지 / 고온 고출력 질화물 전자소자 /광소자 분야 개발 프로그램 진행
- 화합물 반도체 관련 200 mm 팹 운영 [텍사스주 Austin시]
〔붙임자료 2〕나노소자특화팹센터 현황
△ 화합물반도체 중심 비실리콘계 나노소자 분야의 연구개발 지원체제를 구축하여 나노기술의 국가경쟁력 제고 및 산업발전 기여 |
- 사업개요
- 부지면적 : 33,963㎡
- 건축연면적 : 50,394㎡(지하 2층, 지상 16층)
- 연구?벤처동 40,660㎡/팹동 및 시설동 9,734㎡
- 운영주체 : (재)나노소자특화팹센터
- 총사업비 : 1,552억원
= 교육과학기술부 : 481억원(장비구축 및 공정개발)
= 경기도 : 903억원(시설건립 및 장비구축)
= 민 간 : 168억원(시설건립 등)
△ 주요연혁
- 03. 5. 29 : 사업주관기관선정 (경기도-KIST 컨소시엄)
- 03. 9. 23 : 연구협약체결 (과기부-경기도-KIST)
- 03. 12. 26 : 재단법인 설립 및 등록 (과기부허가 제307호)
- 06. 4. 26 : 센터 준공식
- 08. 12. 31 : 센터시설구축사업(\03.9~\08.12) 완료
- 09. 1. 28 : 지경부 수도권(광교)LED융합기술지원센터 유치
- 09. 11. 2 : 대만 교통대와의 국제인력교류 관련 MOU 체결
△ 향후계획
- 비실리콘계 나노소자, 화합물반도체의 연구개발 지원서비스 제공
- 나노기술 연구성과의 상용화 지원
- 나노기술 전문인력 양성 및 국내?외 나노기술 연구네트워크 구축
△ 기대 효과
- 동북아 나노기술 연구개발 중심지로서 국제협력 네트워크 구축을 통한 나노기술 허브 형성 및 나노분야 고급 과학기술 인력 양성
- 산·학·연 나노소자, 화합물반도체의 연구개발 지원서비스 및 연구성과의 상용화 지원을 통하여 나노산업화 및 경제 활성화 기여
〔붙임자료 3〕용어설명
1. III-V MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor)
원소 기호가 3족과 5족인 물질로 구성되는 화합물을 이용하는 것으로 대표적인 물질로 GaAs가 있다. 화합물 반도체의 장점인 고속 특성과 CMOS (Complementary Metal-Oxide-Semiconductor) 소자의 장점인 디지털 회로 구현 및 고집적도를 동시에 얻을 수 있어 차세대 고성능 소자로써 현재 많은 연구가 진행 중임.
2. CMOS (Complementary Metal-Oxide-Silicon)
실리콘 반도체 소자에서 n-형 반도체와 p-형 반도체를 동시에 이용하여 형성하는 경우 상호 보완적 금속산화물반도체 (Complementary Metal-Oxide-Silicon) 소자라고 하며 영문 약자로 CMOS 소자라고 함. 주로 디지털 응용에 많이 사용되며 집적이 용이해 저비용 대량 생산이 가능함.